GaN有好些通性优势，揽括远出乎硅的电子迁移率(3.4eV相对而言1.1eV)，这使其所有比硅高1000倍的电子输导频率的潜力。值得注意的是，GaN的门极电荷(QG)较低，而且是因为须要在每个开关周期内对其展开填空，为此GaN亦可以落得1 MHz的效率坐班，频率不会回落，而硅则难以达到100 kHz如上。除此以外，与硅不同，GaN从未体二极管，其在AlGaN / GaN边界外部的2DEG方可沿反是自由化传导电流(誉为“第三象限”操作)。故而，GaN没有反向恢复电荷(QRR)，使其非常适合硬开关采用。

GaN确实赋有有限的雪崩力量，同时比硅更容易备受过电压的震慑，因故最好适用于漏-源电压(VDS)钳位在轨电压的半桥拓扑。无体两极管使GaN化作硬电键图腾柱功率因数校勘(PFC)的很好的甄选，并且GaN也十二分适用于零电压电钮(ZVS)使用，囊括简谐运动LLC和有源钳位反激。

45 W至65 W功率品位的全速充电适配器将得益于据悉GaN的有源钳位反激，而基于LLC的GaN用于150 W至300 W的高端笔记本电脑电源适配器中，比如说用于游玩的笔记本电脑。在这些运用中，用到GaN招术可使功率密度增加一倍，因而使适配器更小、更轻。特地地，休戚相关的磁性电子元件能够压缩尺码。譬如说， 芯片采购平台电源变压器基石的尺码可从RM10减掉为RM8的薄型或平面设计。因故，在浩繁采用中，功率密度日增了一倍甚至三倍，达30 W / in3。

在更高功率的行使中，譬如说为服务器、云和电信体系供电的电源，更是是据悉图腾柱PFC的电源，动用GaN可使能效逾越99%。这使这些系统亦可满足最重要的(和严厉的)能效正规，如80+ titanium。

使得GaN器件的法子对于卫护相对敏感的栅极氧化物至关紧要。在器件导通之间提供精确调剂的门极使得幅值尤为重要。兑现此鹄的的一种解数是日益增长低压降稳压器(LDO)到长存的硅MOSFET门极驱动器中。但这会侵蚀门极驱动性质，所以，极度动用驱动GaN的专用半桥驱动器。

更具体地说，硅MOSFET驱动器的典型传导延迟时间约为100 ns，这不核符使得速度在500 kHz到1 MHz之间的GaN零部件。对于该类快慢，十全十美情况下，输导推移应不超越50 ns。

出于电容较低，故而在GaN器件的漏极和源极之间有高电压转换率。这恐怕造成零件过早失灵竟是时有发生凄清故障，更是是在大功率动用中。为避免这种情状，总得有高的dv / dt抗扰度(在100 V / ns的范围内)。

PCB会对GaN设计的习性发生实质性影响，因而经常役使RF型布局中常用的技艺。咱们还纳谏对门极驱动器使用低电感打包(如PQFN)。

安森美半导体的NCP51820是业界首款半桥门极驱动器，特为设计用以GaN技巧。它负有调剂的5.2 V门极驱动，拔尖儿的传导缓期仅为25 ns。它兼有落到200 V / ns的dv / dt抗扰度，使用低电感PQFN包装。

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