与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可明显下降开关损耗和进步功率密度。这些特性关于数字电源转化器等高开关频率运用大有裨益，可协助减小磁性元件的尺度。

电力电子职业的规划人员需要选用新的技能和方法来进步GaN 体系的性能，在运用GaN 技能开发现代电源转化体系时，中国专业的电子元器件行业网站用C2000™实时微操控器 (MCU) 可协助应对各种规划应战。C2000实时MCU 的长处C2000 MCU 等数字操控器具有超卓的适用性，合适各种杂乱的拓扑和操控算法，例如零电压开关、零电流开关或选用混合磁滞操控的电感器-电感器-电容器 (LLC) 谐振直流/直流电源。C2000 MCU 可供给以下优势：杂乱的时刻关键型核算处理。C2000 MCU 具有高级指令集，可明显削减杂乱数学核算所需的周期数。核算时刻削减后，可以在不添加MCU 工作频率的情况下进步操控环路频率。准确操控。C2000 MCU 中的高分辨率脉宽调制器 (PWM) 可供给 150ps的分辨率，而且内置的模仿比较器和可装备逻辑块 (CLB) 有助于安全处理呈现的各种过错情况。软件和外设可扩展性。随着体系要求的改变，C2000渠道支撑向上或向下扩展实时MCU功用，一起保持软件投入，然后削减软件投入加快产品上市速度。例如， TMS320F280029C 等低成本C2000 MCU 可在小型服务器电源中完成实时处理和操控；而TMS320F28379D 是高频率多相体系中的常用器材。但TMS320F28379D 保持了和TMS320F280029代码的兼容性。运用C2000 MCU 应对GaN 开关应战如前所述，完成更高的开关频率可减小开关转化器中磁性元件的尺度，但一起这会带来许多操控方面的应战。例如，Silicon(矽睿)场效应管(MOSFET)芯片 在图腾柱功率因数校对 (Totem-pole PFC) 拓扑中，减小电感器的尺度不仅会导致零交叉点处的电流尖峰添加，还会添加死区引起的第三象限损耗，这些影响归纳起来会添加总谐波失真 (THD) 并下降功率。为解决上述问题，C2000实时MCU 通过功用丰富的PWM 启用软启动算法，然后消除电流尖峰并改善THD。C2000 MCU 还具有扩展的指令集、浮点运算单元 (FPU) 和三角函数加速器 (TMU)，然后明显下降PWM 导通时刻等参数的核算时刻。核算时刻削减还可进步操控环路频率，再结合PWM 的 150ps分辨率，可协助下降第三象限损耗。运用TI GaN 技能衔接C2000 MCU如图1所示，C2000 MCU、数字隔离器材和GaN FET 都是器材衔接中必不可少的一部分。

图 1：衔接C2000 MCU、数字隔离器和600V GaN FET

增强型数字隔离器可协助抑制瞬态噪声并保护C2000 MCU。C2000 MCU 无需外部逻辑器材，运用其高分辨率 PWM、可装备逻辑块和增强型捕捉模块完成GaN FET 的安全性、温度和过错报告等所有功用，然后供给准确的操控输出。600V GaN FET 中的集成驱动器可削减由感应振铃导致的体系规划问题。归纳运用这些器材便无需添加额外的外部元件，因此可下降总体成本。结束语TI C2000实时MCU 和GaN FET 协调工作，可为现代数字电源体系供给灵活而简单的解决方案，一起也供给了先进的功用来完成高功率密度且高效的数字电源体系。我们的参考规划都经过全面测试并附有完善的文档说明，可协助加速高效且高功率密度的数字电源体系的开发进程。

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