即随着工业控制、家电及新能源行业市场的逐步回暖，尤其是新能源汽车市场的快速发展与智能驾驶技术的应用，绝缘栅双极电晶体（IGBT）在此领域的市场规模可望逐步成长，代表IGBT的产品性能卓越，已成为中高阶功率半导体发展的主流，更何况IGBT国产化将成为中国关键分离式元件的发展重点之一。 另外值得一提的是，目前功率器件主要以硅（Si）基材料为主，包括绝缘层上覆硅（SOI）高压集成电路，随着第3代半导体的发展，相较于氧化锌（ ZnO）、金刚石、氮化铝等第3代半导体材料的研究尚属起步阶段，反观以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的半导体材料开始成为功率半导体的新兴材料，特别是2020年2月13日小米发布GaN充电器、2月14日VIVO realme也宣布将在X50上全系搭载GaN充电器，显然GaN芯片已经完成从高阶功率器件到消费电子的转换， 电子元器件采购网 主要系因GaN在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势，该材料未来的发展潜力值得期待。 事实上，中国市场中也出现出一批掌握IGBT核心技术的境内本土企业，例如斯达半导、士兰微、台基股份、闻泰科技、扬杰科技、华微电子、振华科技等，显然未来中国IGBT国产化进程在肺炎疫情过后恐加速启动，而陆系企业从二极体、三极管往MOFET、IGBT不断实现产品升级，而能否打破市场由绝大多数被国外厂商垄断，包括Infineon、STM、ON Semi、Mitsubishi、Fuji Electric、Fairchild、Semikron、Renesas等的局面，此竞争态势的改变值得台湾厂商高度关注。 而对于台系业者而言，虽然2020年上半年本产业面临来自于疫情的干扰，不过中国台湾半导体分立器件制造业者为中长期发展的布局仍持续展开，如为因应未来的电动车及混合能源车市场规模逐步扩大，已经有多家国际IDM大厂开始着手研发IGBT、GaN产品线，朋程则是代表厂商，公司正在桃园厂兴建新厂房，预计2021年第一季全面落成，届时将主攻新能源市场；另外其他国内业者亦积极布局新产品领域，包括推出TVS保护元件、节能元件及车用整流元件、MOSFET整流产品等，期望藉由扩大产品的供应面，来使公司营运可稳步向上。

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