10月20日，全球半导体制造商格芯（GlobalFoundries，前格罗方德)最近发布了一份新闻稿，宣布获得美国国防部提供的3500万美元，以加速在佛蒙特州埃塞克斯工厂制造硅基氮化镓(GaN on Si)芯片的过程。

格芯独立于AMD半导体制造部门。目前是世界第四大专业晶圆代工厂，拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀、纽约州(建设中)等多家工厂。获得的资金将用于支持公司在硅基氮化镓技术方面的研发和生产。

硅基氮化镓是一种具有高频率、高功率、高效率的宽禁带半导体材料，广泛应用于航空航天、汽车、通信等领域。格芯表示，该公司在该领域拥有丰富的经验和技术积累，并有能力在200毫米晶圆上大规模生产硅基氮化镓芯片。获得的资金将用于进一步促进公司在该领域的研发和生产，加快大规模生产。

这笔资金是基于格芯与美国政府多年的合作。此前，该公司已获得美国政府的多项财政支持。格芯在2020年至2022年期间，为促进硅基氮化镓技术的发展，获得了4000万美元的支持。3500万美元的资金将使公司更接近硅基氮化镓在200毫米晶圆上的大规模生产。200毫米晶圆是Gan技术的最先进技术。

值得一提的是，格芯在制造硅基氮化镓芯片方面具有独特的技术优势。公司采用直接在硅片上生长氮化镓薄膜的技术路线，可以更好地控制芯片的性能和质量，降低制造成本和生产周期。此外，格芯还拥有完整的生产线和供应链，可以提供从半导体材料到芯片制造的一站式服务，帮助客户更快地将产品推向市场。

美国国防部的财政支持将进一步巩固格芯在硅基氮化镓芯片制造领域的领先地位。未来，公司将继续增加对该领域的研发投资，积极拓展市场应用场景，为全球客户提供更好、更高效的半导体产品和服务。

此外，格芯还致力于加强与美国政府和国防部门的合作，促进公司在国防和安全领域的创新和发展。未来，公司将继续加强与美国政府和国防部门的合作，积极推进数字化转型和现代化升级，为确保国家安全和促进经济发展做出更大贡献。

一般来说，美国国防部的财政支持不仅将有助于加快硅基氮化镓芯片的大规模生产，而且将进一步巩固公司在全球半导体制造领域的地位。未来，公司将继续增加研发投资和市场扩张，为客户提供更好、更高效的半导体产品和服务。

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