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标题:IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TRL功率半导体IGBT技术与应用介绍 在当今电力电子设备中,功率半导体IGBT起着核心作用。IXYS艾赛斯公司的IXA4I1200UC-TRL是一款优秀的IGBT,它具有1200V、9A、45W的特性,适用于各种高功率应用场合。 一、技术特点 IXA4I1200UC-TRL IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的生产工艺,具有以下技术特点: 1. 高温性能:由于其设计的高压特性,IXA4I1200UC-TRL能够在高温环境下保持稳定的工作状态。 2
标题:Infineon(IR) IRGR4045DTRPBF功率半导体IGBT技术及其应用方案介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的IRGR4045DTRPBF功率半导体IGBT,以其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术,在提高性能的同时,也降低了能耗和系统成本。 IRGR4045DTRPBF IGBT是一款双极型功率半导体,具有高开关速度、高耐压、大电流等优点。其工作原理是通过控制电流的导通和切断,来实现
标题:IXYS艾赛斯IXBF32N300功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球知名的功率半导体厂商,其IXBF32N300功率半导体IGBT在工业、电源和电机控制等领域具有广泛的应用。本文将介绍IXYS艾赛斯IXBF32N300功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBF32N300功率半导体IGBT的基本参数。该器件的额定电流为40A,电压为3000V,最大输出功率为1
标题:Infineon(IR) IKD15N60RBTMA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKD15N60RBTMA1是一款高性能的N-Channel功率半导体IGBT,其特点是具有高输入电容,低导通电阻和快速开关性能。这款器件在600V和30A的条件下工作,适用于各种需要高效、快速开关的电源系统。 首先,我们来了解一下IKD15N60RBTMA1的特性。它采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻,这使得它在高负载条件下仍能保持低损耗和高效率。同时,其快速开关
标题:IXYS艾赛斯IXGN200N170功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下,IXYS艾赛斯公司的IXGN200N170功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件,其技术特性和方案应用值得我们深入探讨。 首先,我们来了解一下IXGN200N170功率半导体IGBT的技术特点。IXGN200N170是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),它具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性等优点。同时,IX
标题:Infineon(IR) IRG4IBC20UDPBF功率半导体IGBT的技术与方案应用介绍 Infineon(IR) IRG4IBC20UDPBF是一种具有高功率密度和出色性能的功率半导体IGBT。这款IGBT具有11.4A的电流容量和600V的电压规格,适用于各种高功率电子设备,如电动汽车、风力发电、太阳能板等。 首先,我们来了解一下IRG4IBC20UDPBF的特性。它是一款N-CHANNEL IGBT,具有高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性。其电流容量为11.4A,电压规格为
标题:IXYS艾赛斯IXYX50N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYX50N170C功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了这一领域的佼佼者。 IXYX50N170C是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1700V,电流容量为178A。这款产品采用了IXYS艾赛斯最新的PLUS247技术,大大提高了其工作频率,从而降低了开关损耗,提高了整体效率。 首先,我们来了解一下PLUS247技术
标题:Infineon(IR) IKU15N60R功率半导体IGBT:技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKU15N60R功率半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL IGBT,具有30A和600V的额定参数。这款器件在许多应用中具有广泛的应用前景,特别是在电力转换系统,电机驱动系统,以及需要高效能,高可靠性的电子设备中。 首先,我们来了解一下IKU15N60R的基本技术特性。它采用了Infineon(IR)的专利技术,包括高耐压、低导通电阻、快速开关性能等,这些特性使得它在高频
标题:IXYS艾赛斯IXYX100N120C3功率半导体IGBT:技术与应用详解 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司的IXYX100N120C3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了许多工业应用的首选。 首先,让我们了解一下IXYX100N120C3的特点。这款IGBT是一款1200V,188A,1150W的功率器件。它采用了IXYS艾赛斯PLUS247技术,这是一种创新的封装设计,能够提供更高的热导率和更低的电感,
标题:Infineon(IR) IKD03N60RFATMA1功率半导体IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IKD03N60RFATMA1是一款优秀的功率半导体IGBT,其采用TRENCH/FS结构,适用于600V和6.5A的电源应用。这款IGBT以其高效、可靠和节能的特点,在工业、电子和电力设备中发挥着重要的作用。 首先,IKD03N60RFATMA1的优点在于其出色的热性能和电气性能。其工作温度范围广,能在高温环境下保