欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:Silicon(矽睿)场效应管(MOSFET)芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 功率

功率 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXYH55N120B4H1功率半导体器件在XPT GEN4 B4 CO-PACK技术中的应用和方案介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH55N120B4H1功率半导体器件,以其出色的性能和可靠性,成为了XPT GEN4 B4 CO-PACK技术中的关键组成部分。 IXYS IXYH55N120B4H1是一款具有出色性能的1200V,55A功率半导体器件。其工作电压和电流均达到了行业领先水平,能够满足各种高功率、高效
大到数控机床,小到刮胡刀,我们都能看到电机的身影。从传统电子产业到新兴物联网行业,电机一直是不可或缺的重要部件。而仅仅有电机是不够的,需要相应的电机驱动芯片才能驱动其按照人们的需求来进行工作。意法半导体在电机驱动领域已经有了近30年的开发经验, 近日意法半导体在北京召开了STSPIN产品介绍会,意法半导体亚太区智能电源、IPAD、保护器件产品部市场应用总监David Lucchetti先生针对STSPIN产品家族进行了详尽地说明。 DAVID LUCCHETTI, 意法半导体亚太区智能电源、I
标题:IXYS艾赛斯IXYH40N120C4H1功率半导体DISC IGBT XPT GEN4 1200V 40A TO2的技术和方案应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司推出的IXYH40N120C4H1功率半导体DISC IGBT,以其卓越的性能和稳定性,成为了业界关注的焦点。XPT GEN4 1200V 40A TO2是IXYS艾赛斯公司针对IXYS IXYH40N120C4H1功率半导体DISC IGBT设计的一款电源解决方案,适用于
标题:Infineon(IR) IRG4RC20FPBF功率半导体FAST SPEED IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRG4RC20FPBF功率半导体,以其独特的FAST SPEED IGBT技术,为各类电子设备提供了高效、可靠的能源转换方案。 首先,让我们了解一下FAST SPEED IGBT技术。这是一种创新的功率半导体技术,它能够在更高的电压和频率下工作,从而提高了能源转换效率,减少了能源损失。同
标题:IXYS艾赛斯IXYH30N120C4H1功率半导体器件在XPT GEN4 C4 CO-PACK技术中的应用和方案介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH30N120C4H1功率半导体器件,以其出色的性能和可靠性,成为了业界关注的焦点。这款器件具有1200V的电压承受能力,能够提供高达30A的电流输出,适用于各种高功率、高电压的场合。 XPT GEN4 C4 CO-PACK技术是IXYS艾赛斯公司的一项创新技术,它通过将功率半导体器
标题:Infineon(IR) IKN03N60RC2ATMA1功率半导体在HOME APPLIANCES领域的独特应用和技术方案 在当今的家电市场中,功率半导体的性能和效率对产品的性能和用户体验起着至关重要的作用。Infineon(IR)的IKN03N60RC2ATMA1功率半导体,以其卓越的性能和高效能,正逐渐成为家电市场中的明星产品。 IKN03N60RC2ATMA1功率半导体是一款高性能的N-MOS场效应晶体管,其工作频率高,导通电阻低,适用于各种高效率、高功率的电源和驱动应用。在家用
标题:Infineon(IR) SKP02N60XKSA1功率半导体SKP02N60 - FAST IGBT IN NPT技术的应用和方案介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。作为电力转换的核心器件,功率半导体在各种设备中发挥着至关重要的作用。Infineon(IR)公司的SKP02N60XKSA1功率半导体,以其FAST IGBT IN NPT技术,为各类应用提供了高效、可靠的解决方案。 SKP02N60X是一种高性能的N-MOS晶体管,采用Infineon(I
标题:IXYS艾赛斯IXGP48N60A3功率半导体DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY TO220的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球知名的功率半导体供应商,其IXGP48N60A3 DISC IGBT功率半导体器件在低频应用领域具有显著的优势。本文将围绕IXYS艾赛斯IXGP48N60A3功率半导体的DISC技术、IGBT特性,以及PT-LOW FREQUENCY TO220封装方案的应用进行详细介绍。
标题:Infineon(IR) IRG4RC20FTRPBF功率半导体FAST SPEED IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRG4RC20FTRPBF功率半导体FAST SPEED IGBT便是其中的佼佼者。这款器件以其高效、快速、稳定的特点,在工业、交通、能源等领域发挥着重要的作用。 IRG4RC20FTRPBF是一种快速转换IGBT,具有高输入电容和高开关速度的特点。它的开启时间极短,仅为几十纳秒
功率继电器(power relay),是一种在输入量(或激起量)满足某些确定的准星时,能在一个或多个电器输出电路中产生跃变的一种零件。可用来中性点径直接地系统,作为零序电流保护的大势元件。 功率继电器的行事原理是当功率继电器环子两下里添加必然的电压或电流,圆形产生的磁通经过厉害、轭铁、衔铁、磁路办事气隙结成的磁路,在磁场的表意下,衔铁吸向厉害极面,据此递进触点常闭触点断开,常开触点密闭;当环子两头电压或电流望尘莫及一定值时,机械反力出乎电磁吸力时,衔铁回 到初始状态,常开触点断开,常闭触点通连