使用C2000实时MCU 进步GaN 数字电源设计实用性
2024-08-25与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可明显下降开关损耗和进步功率密度。这些特性关于数字电源转化器等高开关频率运用大有裨益，可协助减小磁性元件的尺度。 电力电子职业的规划人员需要选用新的技能和方法来进步GaN 体系的性能，在运用GaN 技能开发现代电源转化体系时，中国专业的电子元器件行业网站用C2000™实时微操控器 (MCU) 可协助应对各种规划应战。C2000实时MCU的长处C2000 MCU 等数字操控器具有超卓的适用性，合适各种杂