Silicon(矽睿)场效应管(MOSFET)芯片全系列-亿配芯城-三星电子推出首款G DDR7 DRAM芯片总带宽可达1.5TB/s
你的位置:Silicon(矽睿)场效应管(MOSFET)芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > 三星电子推出首款G DDR7 DRAM芯片总带宽可达1.5TB/s
三星电子推出首款G DDR7 DRAM芯片总带宽可达1.5TB/s
发布日期:2024-04-12 08:04     点击次数:74

7月20日消息,三星电子昨天宣布成功开发出业界首款 G DDR7 DRAM芯片,这一技术的成功研发标志着人工智能、高性能计算(HPC)和汽车等未来应用领域将得到更广泛的应用。该产品将于今年首先安装在主要客户的下一代系统中进行验证,以推动图形显卡市场的未来增长,并进一步巩固三星在该领域的技术领先地位。 

三星电子推出首款G DDR7 DRAM芯片总带宽可达1.5TB s.png

与目前的 G DDR6 DRAM相比, G DDR7的每引脚带宽从24Gbps提升至32Gbps,总带宽可达1.5TB/s,这一提升将极大地提高数据传输速度和系统性能。该产品采用了脉冲幅度调制(PAM3)信令的方法,取代了前几代产品中非归零(NRZ)信令方案,得以提升带宽。在相同的信号周期内,PAM3可以比NRZ多传输50%数据,从而进一步提高了数据传输速度。

此外,G DDR7显存采用了针对高速运行优化的省电技术,能效提升了20%。对于笔记本电脑等特别注重功耗的应用, 芯片采购平台三星也提供了低工作电压的产品可选,使得用户能够更加灵活地选择适合自己需求的产品。

为了最大限度减少发热,G DDR7除了优化集成电路结构之外,三星还在封装材料中使用了高导热系数的“环氧树脂模塑化合物”(EMC)。与G DDR6相比,新的封装材料降低了高达70%的热阻,有助于高速运行下的产品稳定,提高了产品的可靠性和稳定性。

三星电子内存产品规划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示:“我们的G DDR7 DRAM将有助于提升工作站、个人电脑和游戏机等需要出色图形运算性能的用户体验,并有望扩展至人工智能、高性能计算(HPC)和汽车等未来应用领域。”

总之,三星成功开发出业界首款G DDR7 DRAM显存,将为人工智能、HPC和汽车等未来应用领域提供更广阔的发展空间。该产品的推出将有助于提高数据传输速度和系统性能,同时提高了产品的可靠性和稳定性,为未来科技的发展奠定了坚实的基础。 

电子元器件采购平台.jpg