晶体，英文Crystal，电路上一般会简写为XTAL，需要外加时钟电路才能输出时钟信号，所以一般叫无源晶振，也叫谐振器。

晶体一般是2脚或者4脚，2脚最常见，晶体无极性。

晶振，英文Crystal oscillator，电路上一般简写为XO，只需要供电就可以输出时钟信号，所以一般叫有源晶振，也叫振荡器。

晶振一般是4脚，1个VCC，2个GND，1个Output。

我们再看一下晶振的分类

Package石英振荡器，英文SPXO：不施以温度控制及温度补偿的石英振荡器。频率温度特性依靠石英振荡晶体本身的稳定性。

温度补偿石英振荡器，英文TCXO：附加温度补偿回路，减少其频率因周围温度变动而变化之石英振荡器。

电压控制石英振荡器，英文VCXO：控制外来的电压，使输出频率能够变化或调变的石英振荡器。

恒温槽式石英振荡器，英文OCXO：以恒温槽保持石英振荡器或石英振荡晶体在一定温度，控制其输出频率在周围温度下也能保持极小变化量之石英振荡器。

可以看到， 电子元器件采购网 不管是VCXO还是TCXO，内部都带有电路进行补偿，所以价格上会比晶体贵，质量和准确度也会比晶体高不少，比如GPS上一般会选用TCXO。

下面看一下晶振最重要的几个参数

标称频率（Normal Frequency）：晶振的标准频率，如26MHz、32.768KHz等。

频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）：用单位ppm来表示，即百万分之一，是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高，1MHz的晶振，1个PPM就是1Hz的偏差。

温度频差（Frequency Stability vs Temp）：表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。

负载电容CL：负载电容是指晶振正常工作震荡所需要的电容。为使晶体能够正常工作，需要在晶体两端外接电容，来匹配达到晶体的负载电容。

那负载电容如何确定呢？

计算公式：CL=C1*C2/(C1+C2)+Cic+△C

C1和C2为晶振两脚对地电容，称为匹配电容。

Cic为集成电路内部电容，△C为PCB板上电容，一般大小为3~5pF。

匹配电容一般取C1=C2=2CL，这样并联起来就接近负载电容CL了，在一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。

如果crystal所接的IC内部有负载电容，那外部的C1和C2就不需要了。

一般IC的数据手册中会给出负载电容的大小。

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