EPC2152是一个单晶驱动器并配以基于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）、采用EPC专有的氮化镓集成电路技术的半桥功率级。在单芯片上集成输入逻辑界面、电平转换电路、自举充电电路、栅极驱动器的缓冲电路及配置为半桥器件的输出氮化镓场效应晶体管，从而实现芯片级LGA封装、细小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。

当48 V转到12 V的降压转换器在1 MHz的开关频率下工作，EPC2152 ePower 功率级集成电路可实现高于96% 的峰值效率，相比采用多个分立器件的解决方案，这个集成电路在PCB的占板面积少33%。

EPC2152 是该系列的首个产品。该系列在未来会进一步推出采用芯片级封装（CSP）及多芯片四方偏平模块（QFM）的功率级IC。在未来一年内将推出可在高达3至5 MHz频率范围工作、每级功率级的电流可高达15 A至30 A的产品。

该产品系列使得设计师可以容易发挥氮化镓技术的性能优势。 集成多个器件在单晶片上，设计师可以更容易设计、布局、组装、节省占板面积及提高效率。

宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow说，“分立式功率晶体管正在进入它的最后发展阶段。硅基氮化镓集成电路可以实现更高的性能、占板面积更小，省却很多所需工程。” Alex 继续说：“这个全新功率级集成电路系列是氮化镓功率转换领域的最新发展里程，Silicon(矽睿)场效应管(MOSFET)芯片 从集成多个分立式器件，以至集成更复杂的解决方案都可以，从而实现硅基解决方案所不能实现的电路性能、使得功率系统工程师可以更容易设计出高效的功率系统。”

开发板

EPC90120是一块半桥开发板，其最高器件电压是80 V、最高输出电流为12. 5 A，内含 ePower™ 功率级集成电路（EPC2152）。该板的尺寸为两英寸乘两英寸（50.8 毫米乘50.8 毫米），可实现最优开关性能。开发板包含所有重要元件，让工程师容易对EPC2152 进行评估。

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