7月20日消息，三星电子昨天宣布成功开发出业界首款 G DDR7 DRAM芯片，这一技术的成功研发标志着人工智能、高性能计算（HPC）和汽车等未来应用领域将得到更广泛的应用。该产品将于今年首先安装在主要客户的下一代系统中进行验证，以推动图形显卡市场的未来增长，并进一步巩固三星在该领域的技术领先地位。 

与目前的 G DDR6 DRAM相比， G DDR7的每引脚带宽从24Gbps提升至32Gbps，总带宽可达1.5TB/s，这一提升将极大地提高数据传输速度和系统性能。该产品采用了脉冲幅度调制（PAM3）信令的方法，取代了前几代产品中非归零（NRZ）信令方案，得以提升带宽。在相同的信号周期内，PAM3可以比NRZ多传输50%数据，从而进一步提高了数据传输速度。

此外，G DDR7显存采用了针对高速运行优化的省电技术， 芯片采购平台能效提升了20%。对于笔记本电脑等特别注重功耗的应用，三星也提供了低工作电压的产品可选，使得用户能够更加灵活地选择适合自己需求的产品。

为了最大限度减少发热，G DDR7除了优化集成电路结构之外，三星还在封装材料中使用了高导热系数的“环氧树脂模塑化合物”（EMC）。与G DDR6相比，新的封装材料降低了高达70%的热阻，有助于高速运行下的产品稳定，提高了产品的可靠性和稳定性。

三星电子内存产品规划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示：“我们的G DDR7 DRAM将有助于提升工作站、个人电脑和游戏机等需要出色图形运算性能的用户体验，并有望扩展至人工智能、高性能计算（HPC）和汽车等未来应用领域。”

总之，三星成功开发出业界首款G DDR7 DRAM显存，将为人工智能、HPC和汽车等未来应用领域提供更广阔的发展空间。该产品的推出将有助于提高数据传输速度和系统性能，同时提高了产品的可靠性和稳定性，为未来科技的发展奠定了坚实的基础。 

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