PCB设计小技巧:电源平面处理
2024-11-09电源平面的处理,在PCB设计中占有很重要的地位。在一个完整的设计项目中,通常电源的处理情况能决定此次项目30%~50%的成功率,本次给大家介绍在PCB设计过程中电源平面处理应该考虑的基本要素。 载流能力 做电源处理时,首先应该考虑的是其载流能力。 其中包含2个方面: 电源线宽或铜皮的宽度是否足够。要考虑电源线宽,首先要了解电源信号处理所在层的铜厚是多少,常规工艺下PCB外层(TOP/BOTTOM层)铜厚是1OZ(35um),内层铜厚会根据实际情况做到1OZ或者0.5OZ。对于1OZ铜厚,在常规
PNP硅平面中等功率 高压晶体管
2024-10-23特征 300伏VCEO 0.5安培连续电流 Ptot = 1瓦特 绝对最大额定值。 参数符号ZTX756ZTX757单元 集电极 - 基极电压VCBO -200-300 V. 集电极 - 发射极电压VCEO -200 -300 V. 发射极 - 基极电压VEBO -5 V. 峰值脉冲电流ICM -1 A. 连续集电极电流IC -0.5 A. Tamb时的功耗= 25°C Ptot 1 W. 操作和存储温度 范围 Tj:Tstg -55至+ 200°C 电气特性(除非另有说明,在Tamb = 2
PNP硅平面中等功率 高增益晶体管双极(BJT)单晶体管
2024-10-21ZTX790A双极晶体管的特性 类型 - pnp 集电极 - 发射极电压:-40 V. 集电极 - 基极电压:-50 V 发射极 - 基极电压:-5 V. 集电极电流:-2 A 收集器耗散 - 1.5 W 直流电流增益(h fe) -250 过渡频率 -100MHz 工作和存储结温范围-55至+ 200 °C 套餐 -TO-92 特征 40伏VCEO IC = 1安培时增益为200 极低的饱和电压 绝对最大额定值。 参数符号值单位 集电极 - 基极电压VCBO -50 V. 集电极 - 发射极
NPN硅平面中等功率,高增益晶体管
2024-06-17产品概述 Digi-Key零件号ZTX618-ND 可用数量3,366 生产厂家Diodes Incorporated 制造商零件编号ZTX618 描述TRANS NPN20V3.5A E-LINE 详细说明双极(BJT)晶体管NPN 20V 3.5A 140MHz 1W通孔E-Line(兼容TO-92) 文件和媒体 数据表ZTX618 环境信息RoHS认证 PCN组装/原产地电镀网站地址添加24 / Feb / 2017 Wafer Source 21/ Apr / 2017 Mult De
PNP硅平面中等功率晶体管
2024-06-16产品规格 产品属性 属性值 搜索类似 产品分类: 双极晶体管 - BJT RoHS指令: 细节 安装方式: 通孔 包装/案例: TO-92-3 晶体管极性: PNP 组态: 单 集电极 - 发射极电压VCEO Max: -100V 集电极 - 基极电压VCBO: - 120 V 发射极 - 基极电压VEBO: - 5 V 集电极 - 发射极饱和电压: - 0.3 V 最大直流集电极电流: 1 A. 增益带宽产品fT: 150 MHz 最低工作温度: - 55 C. 最高工作温度: + 150
PNP硅平面介质功率 大电流晶体管ZTX951
2024-06-15ZTX951PNP硅平面介质功率 大电流晶体管 4安培持续电流 最高15安培峰值电流 非常低的饱和电压 高达10安培的卓越增益 提供SPICE型号 绝对最大额定值。 参数符号值单位 集电极基极电压VCBO-100V 集电极-发射极电压VCEO-60 V 发射极基极电压VEBO-6 V 峰值脉冲电流Icm-15 A 连续集电极电流IC-4 A 实际功耗*ptotp 1.58 W Tamb=25°C时的功耗ptot 1.2 W 工作和储存温度范围tj:tstg-55至+200°C *假设设备以典型
利用超表面实现平面内纳米位移的光学感测
2024-01-16中国科学技术大学光电子科学与技术安徽省重点实验室微纳光学与技术课题组王沛教授和鲁拥华副教授在精密位移的光学感测研究方面取得新进展,设计了一种光学超表面(metasurface),将二维平面的位移信息映射为双通道偏光干涉的光强变化,实现了平面内任意移动轨迹的大量程(百微米量级)、高精度(亚纳米)的非接触感测。研究成果以“High-precision two-dimensional displacement metrology based on matrix metasurface”为题,于202