GaN才是高能效、高频电源设计的首选
2024-11-02GaN有好些通性优势,揽括远出乎硅的电子迁移率(3.4eV相对而言1.1eV),这使其所有比硅高1000倍的电子输导频率的潜力。值得注意的是,GaN的门极电荷(QG)较低,而且是因为须要在每个开关周期内对其展开填空,为此GaN亦可以落得1 MHz的效率坐班,频率不会回落,而硅则难以达到100 kHz如上。除此以外,与硅不同,GaN从未体二极管,其在AlGaN / GaN边界外部的2DEG方可沿反是自由化传导电流(誉为“第三象限”操作)。故而,GaN没有反向恢复电荷(QRR),使其非常适合硬开关
本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移,在整个模拟调光范围内进行精确的稳流,稳流精度在满载时±2%,在1%的负载时±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (NCL
5G集成芯片之斗,谁能笑到最后
2024-07-16今年可以说是5G手机的第一年。主要制造商正急于推出自己的5G新手机。华为、小米、三星等。5G通信技术的核心是基带芯片。硬件5G集成芯片需要同时保证4G、3G和2G通信模式的兼容支持,同时满足运营商SA组网和NSA组网的要求。这给天线方案和前端架构设计带来了巨大的挑战,并且还需要非常高的印刷电路板布局要求。只有少数人开发了5G集成芯片。然后,在5G的斗争中芯片,谁能赢得冠军? 目前5G集成芯片市场上有以下几种:华为麒麟980/990 5G巴龙5000高通公司的小龙855/845 X50/X55三
Microchip发布业界能效最高的中端FPGA工业边缘协议
2024-02-05随着智能边缘设备对能效、安全性和可靠性提出新要求,系统架构师和设计工程师不得不寻找新的解决方案。MicrochipTechnology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出新的开发资源和设计服务,以帮助系统设计人员转向使用PolarFire® FPGA和SoC,包括业界首款中端工业边缘协议栈、可定制的加密和软知识产权(IP)启动库,以及将现有FPGA设计转换为PolarFire器件的新工具。 这些新工具进一步扩大了MicrochipFPGA全面的工具和服务工具包,支持成熟的PolarFir
2023电机向高能效持续演进,2024集成化趋势继续引领电机高效驱控风向
2024-01-08电子发烧友网报道(文/李宁远)电机作为工业生产的核心,被广泛应用于各种机械设备中用于提供动力。毫不夸张地说,绝大部分能动起来的产品里都有着电机相关的应用。从传统的风机、水泵、电动工具,到新兴的机器人、电动汽车等领域,这些行业的发展与电机应用的发展息息相关。在过去的一年中,不少推动行业发展的电机应用一直都保持着相当高的热度,如人形机器人中灵巧手核心空心杯电机、XR设备必不可少的微特电机以及年末小米发布的高压高转速超级电机系列等等。回首这些推动行业发展的电机应用上,我们也得以窥见未来电机本体、电机
一种创新的面积和能效AI存储器设计—MCAIMem
2024-01-06摘要 人工智能芯片通常使用 SRAM 存储器作为缓冲器(buffers),其可靠性和速度有助于实现高性能。然而,SRAM 价格昂贵,需要大量的面积和能耗。以前的研究曾探讨过用非易失性存储器等新兴技术取代 SRAM,因为非易失性存储器具有快速读取内存和单元面积小的特点。尽管有这些优势,但非易失性存储器的写入内存访问速度慢、写入能耗高,因此在需要大量内存访问的人工智能应用中,非易失性存储器的性能无法超越 SRAM。一些研究还将 eDRAM 作为一种面积效率高的片上存储器进行了研究,其存取时间与 S
IE5能效电机到底值不值?
2024-01-05中国的最新版强制性国家标准GB 18613—2020《电动机能效限定值及能效等级》于2020年5月发布,于2021年6月1日起正式实施。GB 18613—2020已将IE5效率列为中国三相异步电动机最高的一级能效等级指标。新国标还规定,自标准实施之日起,IE3效率将成为中国最低的三相异步电动机能效限定值(三级能效),低于IE3能效限定值的三相异步电动机(如YE2系列电机等)不允许再生产销售,表明中国中小型三相异步电动机效率水平再次提升了一个等级。 我国高效电机产业发展迅猛 且推广应用减碳成效显