欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:Silicon(矽睿)场效应管(MOSFET)芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 英飞

英飞 相关话题

TOPIC

英飞凌科技股份公司(Infineon)是一家全球领先的半导体公司,其FF3MR12KM1PHOSA1是一款高性能的SIC功率半导体器件。该器件具有1200V、375A的电流容量,适用于各种高电压、大电流应用场景。 技术参数方面,FF3MR12KM1PHOSA1采用SIC二极管芯片,这种材料具有高饱和电压、低导通电阻和快速开关特性,因此能够提供卓越的效率和功率处理能力。同时,该器件具有自动关断功能,可在不需要持续电流时快速切断电流,从而保护周围电路免受过电流和过热的影响。此外,其外部连接方式为8
英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V CoolSiC MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今,英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已达到转折点,考虑到成本效益,它已可用
Infineon英飞凌FP150R07N3E4B11BOSA1模块:IGBT MOD 650V 150A 430W的参数及方案应用 一、简介 Infineon英飞凌FP150R07N3E4B11BOSA1模块是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,其具有650V的电压和高达150A的电流容量,总功率达到430W。这款模块在许多工业应用中具有广泛的应用前景,特别是在需要高效、高功率的电机驱动和电源转换系统中。 二、参数详解 1. 电压:650V:这款模块可在650V的电压下正常工作,为高
英飞凌FF3MR12KM1HOSA1参数SIC 2N-CH 1200V 375A AG-62MM技术与应用介绍 英飞凌科技股份公司(Infineon)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业和消费电子。FF3MR12KM1HOSA1是英飞凌的一款重要产品,它是一款高质量的SIC IGBT模块,具有出色的性能和可靠性。 SIC是一种高性能的半导体材料,具有高导热性和高耐压性,这使得SIC IGBT模块在许多高功率应用中成为理想选择。FF3MR12KM1HOSA1采用S
随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种应用领域中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FS200R07N3E4RB11BOSA1模块FS200R07,是一款高性能的IGBT模块,具有优异的性能参数和广泛的应用方案。 首先,我们来了解一下FS200R07N3E4RB11BOSA1模块FS200R07的主要参数。该模块采用英飞凌特有的SiC(碳化硅)基板,具有更高的耐压(7.5kV)和电流容量(额定电流为24A)。同时,其导通电阻低,开关速度高,使得该模块在电力转换效率上具有显著
英飞凌FF2MR12W3M1HB11BPSA1参数SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B介绍及其应用 一、产品概述 英飞凌科技的FF2MR12W3M1HB11BPSA1是一款采用了SIC 4N-CH 1200V技术的芯片。该技术以其独特的电路设计和先进工艺,为各类电子设备提供了卓越的性能和可靠性。AG-EASY3B是该芯片的封装方式,具有易于使用和安装的特点。 二、技术参数 FF2MR12W3M1HB11BPSA1的主要技术参数包括:工作电压为1200V,工作频率为200MHz,芯
Infineon英飞凌FP75R12KT4PB11BPSA1模块:IGBT MOD 1200V 150A 20MW的参数及方案应用 随着电子技术的快速发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌作为全球知名的半导体公司,其FP75R12KT4PB11BPSA1模块是一款高性能的IGBT模块,具有1200V的电压承受能力,最大电流达到150A,最大功率为20MW。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FP75R
英飞凌FF2MR12KM1PHOSA1参数SIC 2N-CH 1200V 500A AG-62MM技术与应用介绍 英飞凌科技的FF2MR12KM1PHOSA1是一款具有独特特性的功率半导体器件,它采用SIC 2N-CH 1200V 500A的器件结构,具有出色的电气性能和可靠性。其核心特点包括高输入电容、高工作电压以及出色的热稳定性。这种器件被广泛应用于各种高功率电子设备中,如电机驱动、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及其他需要大电流和高电压的应用场景。 在应用方面,FF2MR12KM1P
随着科技的不断进步,电子设备对功率元器件的需求也日益增长。作为半导体行业的领军企业,Infineon英飞凌科技公司推出的BSM300GA170DLS模块IGBT MODULE,以其出色的性能和可靠性,在工业、汽车和消费电子领域得到了广泛应用。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 BSM300GA170DLS模块IGBT MODULE的主要参数包括: 1. 电流容量:高达50A的额定电流,使得该模块适用于各种功率需求的应用场景。 2. 电压范围:可在600V的电压范围内工作,满足
英飞凌FF2MR12KM1HPHPSA1参数SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB技术与应用介绍 英飞凌科技股份公司(Infineon)是一家全球领先的半导体公司,其FF2MR12KM1HPHPSA1是一款高性能的SIC封装器件,具有独特的电气性能和出色的机械性能。该器件采用先进的SiC(碳化硅)技术,具有更高的工作频率和更低的损耗,适用于各种应用领域。 技术参数方面,FF2MR12KM1HPHPSA1具有1200V的额定电压,适用于需要高电压、大电流的场合。其工作温度范围为-40