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场效应管的概念 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两品种型(juncTIonFETJFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管(FET)是应用控制输
场效应管使用注意事项(1)为了安全使用场效应管,在电路设计中不能超过诸如管的耗散功率、最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。(2)所有类型场效应管应严格按照要求的偏置接入电路和极性使用场效应管应观察偏差。如果结类型场效应管栅极在其源极和漏极之间具有PN结,n沟道栅极不能被正偏置。P沟道管的栅极不能被负偏置,等等。(3)金属氧化物半导体场效应管具有极高的输入阻抗,因此在运输和储存过程中引出引脚必须短路,并且应使用金属屏蔽封装来防止栅极由于外部感应电势而击穿。特别应该指出的是,金属氧