台积电2023年资本支出降幅达16.1%
2024-01-201月18日，台积电举行了年度法说会，公司高层刘德音、魏哲家与财务长黄仁昭悉数到场。据该公司财报透露，2023年实际资本支出定格于304.5亿美元，远低于公司去年10月份预计的320亿美元。 早前，台积电曾预测2023年总资本支出在320-360亿美元区间内。而在去年10月的法说会上，有业内人士称台积电计划将原订的2023年约40亿美元资本支出推迟到2024年执行，预期将降至300亿美元。然而台积电并未对这一安置做出改变，继续坚持原定的320亿美元的资本支出。 根据最新的财报数据，2023年第四
台积电预计今年首季营收约180-188亿美元，同比下滑6.3%
2024-01-201 月18日，台积电财务总监黄仁昭指出，以新台币兑美元汇率 31.1假定为基础，预计本年首季美元营收额为180至188亿美元，环比下降约6.3%。这与市场预测的4%-8%的季减趋势相符，有望创历史同期新高。 同时，台积电预计，本年度首季度的毛利率将维持在52%-54%之间，相较于去年第四季度增长了53%，而净利率预测值约为40%-42%，低于去年第四季度的41.6%。 值得注意的是，台积电在2023 年第四季度实现营收6255.3亿元新台币，同比增长14.4%，净利润达到了2387.1亿元新台
台积电封装专利公开，可减少漏电现象
2024-01-20据天眼查信息披露，台积电一枚关于“半导体晶粒封装及其形成方法”的专利已于1月16日公开，公示编号为CN117410278A。这是一款基于3D WOW（晶片叠晶片）封装方式的芯片解决方案，能有效减少漏电现象。 根据专利概述，该技术将包含在第一半导体晶粒组件区域上的高介电常数介电层作为关键部分。硅穿孔结构被引入到组件区域中，实现连接功能。而高介电常数介电层在本质上带有负电荷，能起到调整组件区电位和耦合电压的作用。尤其值得注意的是，这种介电层中的电子载流子能够吸引组件区中的电洞载流子，从而抑制因刻蚀
台积电全球布局提速，熊本工厂二月投产，美、德工厂进展顺利
2024-01-20据报道，1月18日台积电举行了法人说明会，董事长刘德音宣布，目前海外投资已步入正轨，并且相关项目如日本、美、德三地厂房的建设也将按预定计划进行。同时，公司评估在高雄新建第三座厂。 关于日本熊本工厂 刘德音透露，该工厂将如期于2月24日举行开业典礼，预计2024年4月启动量产，月产能可达5.5万片12寸晶圆。依照规划，该厂将生产12/16纳米和22/28纳米等成熟制程的半导体芯片。 至于美国工厂 台积电方面表示，已与亚利桑那州建筑业委员会（AZBTC）签订合作协议，计划就员工培训等事宜进行合作以
台积电扩增台厂，高雄将设三座二奈米晶圆厂
2024-01-20台积电全球布局已见雏形，除了日本、美国、欧盟三地的新工厂即将开始量产之外，公司还大力推进在台湾地区的先进制程项目。台积电计划在高雄新建三座二纳米芯片制造厂，总投资额预估超过2万亿元人民币。根据其说法，这些二纳米芯片厂预计将于2025年建成并开始量产。高雄原计划只有两座二纳米芯片厂，但由于顾客需求增长迅速，加之人工智能的兴起和对于高效计算（HPC）和智能手机的需求增加，公司决定再建造一座二纳米工厂以满足客户的需要。 台积电提到，其高雄工厂的建设是在2021年11月份公布的新工艺计划，现在已经开始
台积电财报引发股价涨，英伟达与AMD再创新高
2024-01-20近日，台积电发布2023年度第四季度和整年财务报告，董事长刘德音表示，虽然去年营收略有下降，但由于预期未来高端AI芯片市场需求增加，2024年营收有望提升20%。受此影响，各地股票市场纷纷上涨。英伟达和AMD的股价甚至刷新了历史记录，分别为每股576美元和每股168.60美元。值得注意的是，这两家中高端AI芯片巨头一年内股价大涨，分别达到了238.8%和127.6%，展现出投资者对AI产业的浓厚兴趣。 在此次上涨趋势中，英伟达和AMD无疑占据了主导地位。英伟达占据AI GPU市场的大多数份额，
芯片股助力大盘，台积电预计收入增逾20%
2024-01-201月18日，受芯片股拉动，美半导体股指飙升2%，此前台积电透露，人工智能领域对高端芯片的需求增长迅猛。 台积电在美上市股票当日收盘上涨7.2%，位居美国半导体股指涨幅之首。据公司预计，2024年收入同比增长超20%。台积电总裁魏哲家展望产业前景，尽管今年全球经济和政治环境不确定性仍存，然他依旧看好半导体产业产值今年将实现10%以上的增长，其中晶圆代工行业甚至有望达到20%的增速。他预期，台积电的美元营收年度增长将超过20%。 值得一提的是，2023年美国半导体股指累计上涨65%，并于12月28
台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片
2024-01-20据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。 台积电在MRAM技术上的突破，特别是在22纳米、16/12纳米制程等领域，进一步巩固了其在存储器市场的领先地位。此外，该公司还成功获得了存储器、车用等市场的订单，进一步证明了其在技术创新和市场应用方面的实力。 这一技术突破对于整个半导体行业来说都具有重要意义。随着5G、物联网、人工智能
台积电2023年第四季度净利润同比下降
2024-01-20台积电近日公布了2023年第四季度的业绩报告，报告显示，该季度的净利润出现了同比下降。这一情况主要是由于物联网芯片业务营收的减少以及利润率的恶化所导致。 具体数据显示，在截至去年12月31日的三个月里，台积电的净利润同比下降了19%，降至新台币2,387.1亿元。与此同时，该季度的收入为新台币6255.3亿元，与上年同期持平，没有出现增长。 对于这一业绩表现，台积电在报告中指出，物联网芯片业务营收的减少是导致净利润下降的主要原因之一。此外，由于先进制程产能利用率下滑和研发成本上升，也给利润率带
杀手锏！台积电开发SOT-MRAM阵列芯片
2024-01-19台积电近日宣布，与工研院共同研发出一种名为自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）的阵列芯片。这一技术成果为台积电在AI和高性能运算（HPC）市场抢占先机提供了新的竞争优势。 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。此次推出的SOT-MRAM将进一步巩固其在市场中的领先地位。 这款SOT-MRAM芯片由台积电和工研院共同设计，实现了极快的工作速度，达到10纳秒，远高于传统的内存芯片。这一创新突破了MRA