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半导体原料经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅(硅)和锗(锗)为代表的第一代半导体原料；第二阶段是砷化镓(GaAs)、磷化铟(磷化铟)和其他化合物。第三级主要由氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化锌(ZnSe)等宽带半导体材料组成。第三代半导体原材料具有较大的带宽、较高的击穿电压、良好的耐压和耐高温性能，因此更适合制造高频、高温和大功率射频元件。化合物开始从第二代半导体原料中出现。这些化合物因其优异的性能而被广泛应用于半导体领域。例如，GaAs在高功率传输领域具有优异的物理性能优势，广泛应用

搭载了业界首个人工智能（简称AI）移动芯片的Mate 10最近让华为出尽了风头，这让身为移动芯片霸主的高通多少有些尴尬。不过，高通很快作出了反应，称下一步将加大在AI领域的投资。 正在香港举行的高通4G/5G峰会上，高通产品管理高级副总裁Keith kressin在接受腾讯科技采访时表示，“加大AI领域的投资，主要集中在提升CPU、GPU和DSP性能这三大方面，从而更好的支持AI。” 他举例称，“几年前，我们在DSP上加了一个Hexagon的矢量图像，它里面是一个巨大的库，1024位的，通过这

抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。 DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值