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FDS4559是一种互补的MOSFET器件,采用先进的功率沟道工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻,同时保持较低的栅极电荷,以获得优异的开关性能。适用于液晶背光逆变器。 参数: 晶体管极性:N and P-Channel 汲极/源极击穿电压:+/- 60 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:4.5 A, - 3.5 A 导通电阻:55 mOhms 配置:Dual Dual Drain 最大工作温度:+175C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC
CD4010CHex缓冲器(非反相)概述CD4010C十六进制缓冲器是单片互补MOS(CMOS)集成电路。 N-和P-通道增强模式晶体管提供对称电路,输出摆幅基本上等于电源电压。这样可在宽电源电压范围内实现高抗噪性。在静态条件下,不会消耗由漏电流引起的直流电。 所有输入都受到静电放电的保护。 这些门可用作十六进制缓冲器,CMOS到DTL或TTL接口或用作CMOS电流驱动器。 转换范围为3V至15V,VCC≤VDD。 这些器件还具有缓冲输出,通过提供非常高的增益来改善传输特性。 特点:宽电源电压
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