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Transphorm 相关话题

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1月12日,瑞萨电子与氮化镓(GaN)带领人Transphorm达成3.39亿美元交易。此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术,助力其扩大业务范围至电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等市场。 通过Transphorm的汽车级GaN技术,瑞萨电子将开发更高效、小巧、轻便且低成本的电源解决方案,如电动汽车的X-in-1动力总成解决方案。交易预计于2024下半年完成,需满足股东批准、监管许可等条件。 *部分图文来自网络,如侵权请联系本号删除*
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(以下“瑞萨”,TSE:6723)与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于1月11日宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。 此次交易对Trans
1月11日,日本半导体大厂瑞萨电子和氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm宣布双方已达成最终协议,根据协议,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm,较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%,总估值约为3.39亿美元(当前约为24.08亿人民币)。 该交易预计将于2024年下半年完成,具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。 公告称,此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术,从而将其业务范围扩大到电动
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。 此次收购将为瑞萨提供GaN(
Weltrend新参考设计表明,拥有成本优势的SuperGaN SiP IC,适用于65瓦和100瓦适配器 ,为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路
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